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產(chǎn)品列表

PROUCTS LIST

數(shù)字式涂層測(cè)厚儀HC-200

產(chǎn)品型號(hào)： Probe-ESD20Zn

所屬分類：涂層測(cè)厚儀

產(chǎn)品時(shí)間：2025-07-17

簡(jiǎn)要描述：數(shù)字式涂層測(cè)厚儀的詳細(xì)介紹
數(shù)字式涂層測(cè)厚儀HC-200
一、功能用途

　　 HC200數(shù)字式涂層測(cè)厚儀是磁性、渦流一體的便攜式涂層測(cè)厚儀，它能快速、無(wú)損傷、精密地進(jìn)行涂、鍍層厚度的測(cè)量。既可用于實(shí)驗(yàn)室，也可用于工程現(xiàn)場(chǎng)。本儀器能廣泛地應(yīng)用在制造業(yè)、金屬加工業(yè)、化工業(yè)、商檢等檢測(cè)領(lǐng)域。是材料保護(hù)專業(yè)*的一起。

詳情介紹

數(shù)字式涂層測(cè)厚儀的詳細(xì)介紹

數(shù)字式涂層測(cè)厚儀HC-200

一、功能用途

HC200數(shù)字式涂層測(cè)厚儀是磁性、渦流一體的便攜式涂層測(cè)厚儀，它能快速、無(wú)損傷、精密地進(jìn)行涂、鍍層厚度的測(cè)量。既可用于實(shí)驗(yàn)室，也可用于工程現(xiàn)場(chǎng)。本儀器能廣泛地應(yīng)用在制造業(yè)、金屬加工業(yè)、化工業(yè)、商檢等檢測(cè)領(lǐng)域。是材料保護(hù)專業(yè)*的一起。

二、主要特點(diǎn)

u采用了磁性和渦流兩種測(cè)厚方法，既可測(cè)量磁性金屬基體上非磁性覆蓋層的厚度又可測(cè)量非磁性金屬基體上非導(dǎo)電覆蓋層的厚度；

u具有兩種測(cè)量方式：連續(xù)測(cè)量方式（CONTINUE）和單詞測(cè)量方式（SINGLE）;

u具有兩種工作方式：直接方式（DIRECT）和成組方式（App1）；

u設(shè)有五個(gè)統(tǒng)計(jì)量：平均值（MEAN）、zui大值（MAX）、zui小值（MIN）、測(cè)試次數(shù)（NO.）、標(biāo)準(zhǔn)偏差（S.DEV）；

u可采用兩種方法對(duì)一起進(jìn)行校準(zhǔn),并可用基本校準(zhǔn)法對(duì)測(cè)頭的系統(tǒng)誤差進(jìn)行修正;

u具有存貯功能：可存貯500個(gè)測(cè)量值；

u具有刪除功能：對(duì)測(cè)量中出現(xiàn)的單個(gè)可疑數(shù)據(jù)進(jìn)行刪除，可也刪除存貯區(qū)內(nèi)的所有數(shù)據(jù)，以便進(jìn)行新的測(cè)量；

u可設(shè)置限界：對(duì)限界外的測(cè)量值能自動(dòng)報(bào)警；并可用直方圖對(duì)一批測(cè)量值進(jìn)行分析；

u具有打印功能：可打印測(cè)量值、統(tǒng)計(jì)值、限界、直方圖；

u具有與PC機(jī)通訊的同能：可將測(cè)量值、統(tǒng)計(jì)值傳輸至PC機(jī)，以便對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行進(jìn)一步處理；

u具有電源欠壓指示功能；

u操作工程有蜂鳴聲提示；

u具有錯(cuò)誤提示功能，通過(guò)屏顯或蜂鳴聲進(jìn)行錯(cuò)誤提示；

u設(shè)有兩種關(guān)機(jī)方式：手動(dòng)關(guān)機(jī)方式和自動(dòng)關(guān)機(jī)方式；

三、規(guī)格參數(shù)

測(cè)頭類型
F
N
工作原理
磁感應(yīng)
渦流
測(cè)量范圍（µm）
0~1250
0~1250
銅上鍍鉻（0~40）
低限分辨率（µm）
0.1
0.1
示值
一點(diǎn)校準(zhǔn)（µm）
±（3%H+1）
±（3%H+1.5）
二點(diǎn)校準(zhǔn)（µm）
±[（1~3%）H+1]
±[（1~3%）H+1.5]
測(cè)試條
zui小曲率半徑（µm）
凸1.5
凸3
zui小面值的直徑（mm）
Φ7
Φ5
基體臨界厚度（mm）
0.5
0.3

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測(cè)頭類型		F	N
工作原理		磁感應(yīng)	渦流
測(cè)量范圍（µm）		0~1250	0~1250 銅上鍍鉻（0~40）
低限分辨率（µm）		0.1	0.1
示值	一點(diǎn)校準(zhǔn)（µm）	±（3%H+1）	±（3%H+1.5）
示值	二點(diǎn)校準(zhǔn)（µm）	±[（1~3%）H+1]	±[（1~3%）H+1.5]
測(cè)試條	zui小曲率半徑（µm）	凸1.5	凸3
	zui小面值的直徑（mm）	Φ7	Φ5
	基體臨界厚度（mm）	0.5	0.3

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